電子デバイス
科目分野 | 理工学部 |
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選必区分 | 選必修 |
担当教員 [ローマ字表記] |
永瀬 雅夫 [Masao Nagase] |
授業形態 | 講義 |
授業の目的
現代のデジタル社会を支える電子デバイスの動作及びその原理を理解することを目的とする。
授業概要
電子デバイスの内、特に半導体デバイスに焦点を当て講義を行う。まず,デバイスの基本となる半導体の基礎的性質および各種接合・界面について解説する。その後,種々の電子デバイスの構造,動作原理,諸物性,応用技術について述べる。
到達目標
1.半導体の基礎物性を理解する。
2.半導体接合の特性を理解する。
3.電界効果トランジスタの動作原理を理解する。
4.種々の電子デバイスの特徴を理解する。
授業計画
1. 半導体デバイス技術について
2. 半導体基礎物性:構造
3. 半導体基礎物性:電子物性
4. 半導体基礎物性:輸送現象(1):移動度
5. 半導体基礎物性:輸送現象(2):トンネル現象
6. pn接合
7. バイポーラトランジスタ
8. MOSダイオード
9. MOSトランジスタの動作原理
10. MOSトランジスタの基本特性
11. 各種のMOSデバイス
12. 集積デバイス(1)
13. 集積デバイス(2)
14. 半導体デバイス技術の将来(1):極限微細化
15. 半導体デバイス技術の将来(2):異種機能集積化
16. 期末テスト(到達目標の評価)
教科書
半導体デバイス : 基礎理論とプロセス技術/S.M.ジィー 著,南日康夫, 川辺光央, 長谷川文夫 訳,:産業図書,2004, ISBN:9784782855508
キーワード
半導体デバイス,ダイオード,MOSトランジスタ